去日本考察电子行业的话，日本大型的半导体制造商公司东芝是不能错过的公司，作为早起进入中国的日本企业之一的东芝经营领域包括了数码产品，电子元器件，社会基础设备，家电等等。但是其核心竞争力，一直都是其半导体设备，
近日，这家140年历史公司于2019年6月9日至14日在日本京都举行的超大规模集成电路技术(VLSI)研讨会上宣布了一项新的存储技术，该技术能够实现terabit级的容量，取代3D NAND闪存。
它是一种电阻变化的非挥发性存储器，利用银的氧化还原反应(Ag)，东芝存储器称之为“银离子存储器”。目前它还处于研究阶段，该公司还没有决定何时将该技术商业化。
terabit-class存储器正在世界范围内得到积极的研究和发展。迄今为止，诸如oxidetype ReRAM和phase-change等新存储器的写入电流超过几十微安，芯片级功耗增加太多，电压很难控制。因此,很难实现terabit-class记忆。
另一方面,（Ag)离子内存可以减少存储单元的写作电流小于1μa,使其更容易实现terabit-class记忆。据东芝存储公司(Toshiba Memory)说，在室温下，它的数据保存时间可以达到10年。
为了实现这些特性，东芝存储器采用AgW合金作为存储单元的上电极，采用低密度SiO2作为上下电极之间的材料。
银离子存储器的开关工作如下。当一定的电压作用于高电阻状态下的存储单元时，Ag从上电极熔化为Ag离子。银离子在低密度二氧化硅中形成高密度、大尺寸的团簇状银，并具有较低的电阻。
当向存储器单元施加反向电压时，银离子以银的形式沉淀在上层电极上，使存储器单元具有较高的电阻。东芝内存公司(Toshiba Memory)的数据显示，高阻和低阻状态之间的开关比目前约为100。
一般来说,当写当前的内存电流小于1μa时,其数据保留性能降低。通过结合AgW和低密度SiO2，可以提高低阻状态下银团簇的尺寸。因此，东芝内存公司(Toshiba Memory)表示，有可能将数据保留时间延长至10年。
这一次，东芝存储器使用了一个300mm的晶圆，并原型化了一个具有交叉点结构的存储单元阵列，该阵列适合于增加密度。该原型存储单元阵列的存储单元宽度可窄至40nm。
当该公司使用160nm、80nm和40nm的存储单元宽度检测I-V(电流-电压)曲线时，发现性能没有太大差异。因此，该公司得出结论，新技术可以支持先进的工艺技术。
此外，银离子存储器可以实现所谓的“1R-structure”交叉点式存储器，它不使用记忆单元的选择器。东芝记忆体公司表示，当使用在300mm晶圆上形成的交叉点结构存储单元阵列对银离子存储器进行开/短测试时，整个晶圆上没有发现任何故障。
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